• 名称DWL步进式激光直写曝光系统19008340
• 资产编号19008340
• 型号HEIDELBERG DWL66+
• 规格
• 产地
• 厂家德国HEIDELBERG
• 所属品牌
• 出产日期
• 购买日期
• 所属单位浙江大学
• 使用性质科研
• 所属分类光刻
• 联系人孙颖
• 联系电话87951496，13858114028
• 联系邮箱suny@zju.edu.cn
• 放置地点微纳加工中心

主要规格及技术指标

最大基板尺寸7inch×7inch；有效曝光面积200mm×200mm。
样品尺寸要求：边长1.5cm以上；最大基板厚度6mm。
激光波段405nm；激光能量300mW。
配0.6μm、1μm、2μm三种不同分辨率激光写头。
最小特征尺寸：0.6um、1um、2um。
描绘网格：10nm、50nm、100nm。
线宽均匀性：60nm、130nm、180nm。
套刻对准精度：0.1μm、0.25μm、0.4μm。
光绘速度：6 mm2/分钟、150 mm2/分钟、600 mm2/分钟。

主要功能及特色

该设备可用于：1.光刻掩模版制备；2.微纳图形直写。
传统激光刻蚀过程中，需要先利用特定图形的掩模版对光刻胶曝光。
但是在产品研发阶段，样品图案需要经常修改，而掩模版制作较耗时，不能满足研究者缩短研发周期的需求。
激光直写系统则专门为研究机构提供了这样一个快捷灵活的解决方案。它可以在不需要掩模版的情况下，直接对光刻胶书写图案，从而使得激光刻蚀过程更加快捷方便，在研发初期可以大大缩短实验周期，节省时间。
该设备采用激光作为光源，透过高精度的光学透镜组，最小直写精度可以达到0.6um，而且工作台平台定位激光干涉仪分辨率10 nm，能够精准的提高光刻图形的提高光刻图形的质量，实现大面积高精度无掩膜直写曝光。
该系统主要用于涂有光刻胶的各种基片，玻璃，硅片，或其它平面材料的图形曝光。 广泛应用于光掩模版制备；半导体芯片、MEMS、传感器、MOEMS、集成光学等图形的制作。

样本检测注意事项

⚠️注意事项：
1.样品最小尺寸1.5cm*1.5cm，过小样品自动聚焦、写图时易撞写头！
2.曝光图形距离样品边缘保证0.5cm以上。
3.圆形样品特别注意：保证各个写图位置距离最近样品边缘必须0.5cm以上。
4.若曝光图形阵列：务必保证阵列外围距离样品边缘0.5cm以上。
5.移动STAGE时：注意step、jog设置，如不慎移出片外，为避免横向碰撞写头，必须调小步长或移动速率慢慢返回；或抬写头，CENTER后重新聚焦。

如因用户未遵守规则导致设备故障和损坏，维修费用及其他相关损失由客户承担！！！

设备使用相关说明

校内：
【1】自行操作600元/小时。
【2】委托加工800元/小时。
【3】设备培训费200元/人/次（含匀胶、导图、写图、显影、显微观察时间）（机时费另算）。
【4】15分钟为基本计时单位。耗材（胶、显影&定影液等）除常规提供的以外，其他皆按成本单独计算。
【5】制版费根据线条尺寸、光刻版大小和材质按数量单独计费并折算机时计收。
【说明】收费标准仅针对单项工艺，如有特殊要求，费用另行计算并折算机时计收。

校外：
【1】自行操作800元/小时。
【2】委托加工1000元/小时。
【3】设备培训费400元/人/次（含匀胶、导图、写图、显影、显微观察时间）（机时费另算）。
【4】15分钟为基本计时单位。耗材（胶、显影&定影液等）除常规提供的以外，其他皆按成本单独计算。
【5】制版费根据线条尺寸、光刻版大小和材质按数量单独计费并折算机时计收。
【说明】收费标准仅针对单项工艺，如有特殊要求，费用另行计算并折算机时计收。

备注

预约前需按照微纳加工中心要求注册、培训及考核。并与管理员联系确认。