MBE 分子束外延 (GENxplor )

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设备型号 :GENxplor

当前状态 : |

负责人 :王改利

联系人 :王改利 18836153956

放置地点 :微纳加工中心

IP地址 :

8000元 / 小时

  • 名称MBE 分子束外延
  • 资产编号19017621
  • 型号GENxplor
  • 规格三个腔室,兼容样品尺寸3英寸,2英寸
  • 产地
  • 厂家Veeco
  • 所属品牌
  • 出产日期
  • 购买日期
  • 所属单位浙江大学
  • 使用性质科研
  • 所属分类镀膜
  • 联系人王改利
  • 联系电话18836153956
  • 联系邮箱0023723@zju.edu.cn
  • 放置地点微纳加工中心

主要规格及技术指标

生长室最高工作温度:1200℃,可升级到1800℃;生长材料:GaN, AlN, InN等,可进行Mg, Si等掺杂;真空度:进样室优于5E-8Torr,预处理室优于9E-10Torr,生长室优于5E-11Torr

主要功能及特色

分子束外延技术的出现最早是应用在半导体领域,主要用于高质量的SiGe以及III-V砷化镓材料的高质量单晶外延生长。随着表面物理和材料科学研究的外延不断扩展,而今,分子束外延技术的应用领域已经非常广泛,除了传统的IV族和III-V族半导体材料之外,拓扑绝缘体、磁性材料(自旋电子学)、氧化物、氮化物等材料体系都可以用分子束外延技术来制备,并且可以取得更好的界面和结构控制。利用分子束外延系统生长的量子点、纳米线和薄膜可广泛应用于科学研究。经过后续微纳加工可得到各种微纳米结构,如电学器件(二极管,晶体管),光学器件(激光器,探测器),超导器件等.

分子束外延是在超高真空条件下生长高纯薄膜晶体的一种顶尖的薄膜生长手段,相比其他生长方法具有较高的优越性,比如可以生长纳米级的量子点、纳米线,可以在原子层量级精确控制薄膜厚度和掺杂度、通过衬底的晶格来调控薄膜的轨道基本态和生长超晶格结构,可以实现通过人为生长进行能带工程的剪裁等。

设备使用相关说明

校内6000元/小时,1天为基本时间单元,人员培训费用:4000元/小时(机时费另算),特殊情况另议。
校外8000元/小时,1天为基本时间单元,人员培训费用:4000元/小时(机时费另算),特殊情况另议。
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